贴片晶体管是一种半导体器件。广义上包括双极半导体作为晶体管（有两个主要载流子—自由发展电子和空穴，参与其中导电）和场效应半导体晶体管（大多数研究载流子可以参与以及导电，称为一个单极晶体管）。狭义上是指双极晶体管，俗称三极管的半导体器件。  

贴片晶体管相对于一个二极管发展而言，晶体管技术又称三极管，所以对于贴片晶体管又称贴片晶体管，颜色为黑色，一般为3引脚、4引脚功能封装结构形式。为了可以增加一个功率值，便于进行散热，有IC（如8引脚IC形状）封装结构形式的贴片通过晶体管，只有3个引脚是有效控制引脚，其他相关引脚功能都是空引脚（或集热器占用6个引脚）。贴片晶体管按结构可分为NPN和PNP，两者的区别是电流方向，按功率分类可分为大、中、小三类，片式晶体管功率值一般为0.1～0.5W，属于中、小功率类型；频率分类可分为低频(ft低于3MHz)、中频(ft低于30MHz)、高频和超高频(ft高于30MHz)。  

贴片晶体管电参数及测量方法  

主要电气参数如下:  

1.晶体管技术具有以下三个部分反向进行击穿产生电压值，分别为:基极开路集电极发射极之间反向击穿以及电压（Uceo）、发射极开路集电极基极发射极反向击穿导致电压（Ucbo）和集电极基极开路发射极反向击穿电压，决定了晶体管能够正常管理工作的电压变化范围。  

2.集电极电流Ic(大集电极电流ICM)决定晶体管工作电流范围。  

3.允许功耗Pc（maximum许用功耗PCM），与工作电流和封装形式有关。  

4.特征进行频率值fT，它决定了晶体管一个适用于低、中、高频部分电路。  

5.直流放大系数hFE决定晶体管的电流放大容量。  

6.晶体管导通饱和压降UCE和反向漏电流等参数，在特殊教育情况下，也需要进行考虑。  

7.在一般的低频或控制应用中，我们需要注意uce，ic，pc这三个基本参数。  

贴片晶体管的测量研究结果，是内部控制两个PN结的正、反向电阻值，或正、反向工作电压值（数字使用万用表进行测量时）。以NPN塑料贴片晶体管的测量为例。用数字使用万用表进行测量，当基极接红表笔时，黑表笔搭接另两极，都显示0.6V左右的正向影响电压值。发射极与集电极输出之间，无论我们怎么进行测量，都显示1。使用指针万用表，正负电阻值将像测量二极管一样显示。因为贴片二极管体积变化很小，测量hFE值比较经济困难，一般也省去我们这一重要步骤。用电阻贴片晶体管，由于内阻，基极和发射极之间的正负电阻值是接近的。